在现有技术中，单晶炉是在惰性气体(主要是氮气和氦气)环境中通过石墨加热器熔化多晶硅材料并通过直拉法生长无位错单晶的装置。将多晶硅加热熔化，待硅完全熔化后，通过浸籽、焊接、引晶、定肩、转肩、等径和修整步骤拉制单晶棒。目前单晶拉制过程中，加热器上边缘到导流管下边缘的高度h对单晶拉制影响很大，会影响单晶的成品率。籽晶浸入前，导流管会随水冷屏一起下降，但达到一定高度后不能继续下降。可以看出，热场设计一旦完成，加热器上边缘到导流管下边缘的高度是固定的，不利于后续工艺和热场优化，影响单晶的成品率。