直拉法(CZ法)是将原料多晶硅块放入应时坩埚中，在单晶炉中加热熔化，然后将直径只有12mm的棒状籽晶(称为籽晶)浸入熔体中。在合适的温度下，熔体中的硅原子会沿着固液界面上籽晶的硅原子排列结构形成规则晶体，成为单晶。当籽晶缓慢旋转并向上提拉时，熔体中的硅原子会继续在前面形成的单晶上结晶，继续其规则的原子排列结构。如果整个结晶环境稳定，可以反复形成晶体，最终形成原子排列整齐的圆柱形硅单晶，即硅单晶锭。当结晶加速时，晶体的直径会变粗，提高上升速度可以使直径变小，提高温度可以抑制结晶速度。相反，如果结晶变慢，直径变小，可以通过降低拉制速度和冷却来控制。在拉晶开始时，拉出一定长度、直径为3 ~ 5 mm的窄颈，以消除晶体位错。这个过程叫做拉晶。然后将单晶直径放大到工艺要求，进入等径阶段，直到大部分熔硅结晶成单晶锭，只留下少量边角料。停炉后，取出单晶棒，工序结束。