化合物半导体有机金属气相生长用高纯石墨制品（MOCVD）

    在化合物半导体上，以CVD法生长同种或不同种的化合物半导体单结晶的工序中，作为固定片的基盘座，使用SiC涂层的高纯石墨制品。图2-12所示为装置。原料使用含Ga、As、Al等的有机化合物，在减压下加热至600~750℃，使之热分解蒸涂到片上生成薄膜。采用SiC涂层品的理由是为防止从石墨中发生的气或粉尘污染薄膜。

    把拉伸法制造的化合物半导体单晶棒制成硅片，再用液相法在硅片上生长同种或异种的化合物半导体结晶层。这个过程使用的装置有卧式滑动舟型、卧式旋转滑动型、竖式浸渍型等种类。图2-11所示为卧式滑动舟型的简单构成其舟体即是用高纯度各向同性石墨的部件组合而成，也可以使用玻璃炭涂层的石墨部件。其工作原理为把石英管中的石墨舟加热至1300，在通入氢气的同时，移动装载有硅片的滑动板，使其与所定的某种金属相接触，缓慢冷却后硅片上就会析出单晶。要生成多层单晶时，按上述方法反复操作即可。之所以使用石墨材料，乃是因为其具有高温强度高、电性能不活跃、高纯石墨制品、热传导性能好、加工性能好及自润滑性等特性。