石墨烯是由单层碳原子构成的零带隙的二维晶体，具有狄拉克锥型的线性能带结构、超高的载流子迁移率及宽带光照应等特性。
        石墨烯现在是世上薄却也是巩固的纳米材料，它几乎是完全透明的，只吸收2.3%的光；导热系数高达5300 W/m·K，高于碳纳米管和金刚石，比钻石还巩固，强度比世界上较好的钢铁还要高上100倍，常温下其电子迁移率逾越15000 cm2/V·s，又比纳米碳管或矽晶体（monocrystalline silicon）高，而电阻率只约10-6Ω·cm，比铜或银更低，为现在世上电阻率较小的材料。    由于它的电阻率极低，电子的移动速度极快，因而被等候可用来发展出更薄、导电速度更快的新一代电子元件或电晶体。由于石墨烯实质上是一种透明、杰出的导体，也合适用来制作透明触控萤幕、光板、甚至是太阳能电池。
石墨烯的制备方法：
1、机械剥离法
    机械剥离法是使用物体与石墨烯之间的抵触和相对运动，得到石墨烯薄层材料的方法。这种方法操作简略，得到的石墨烯一般保持着无缺的晶体结构。
2、氧化还原法
    氧化还原法是经过运用硫酸、硝酸等化学试剂及高锰酸钾、双氧水等氧化剂将天然石墨氧化，增大石墨层之间的间距，在石墨层与层之间插入氧化物，制得氧化石墨（Graphite Oxide）。
3、取向附生法
    取向附生法是使用生长基质原子结构“种”出石墨烯，首先让碳原子在1150℃下渗入钌，然后冷却，冷却到850℃后，之前吸收的许多碳原子就会浮到钌外表，镜片形状的单层的碳原子会长成无缺的一层石墨烯。
4、碳化硅外延法
    SiC外延法是经过在超高真空的高温环境下，使硅原子进步脱离材料，剩下的C原子经过自组方法重构，然后得到基于SiC衬底的石墨烯。这种方法可以获得高质量的石墨烯，可是这种方法对设备要求较高。
5、赫默法
    经过Hummer法制备氧化石墨；将氧化石墨放入水中超声松散，构成均匀松散、质量浓度为0.25g/L～1g/L的氧化石墨烯溶液，再向所述的氧化石墨烯溶液中滴加质量浓度为28%的氨水；将还原剂溶于水中，构成质量浓度为0.25g/L～2g/L的水溶液；将制造的氧化石墨烯溶液和还原剂水溶液混合均匀，将所得混合溶液置于油浴条件下搅拌，反响结束后，将混合物过滤洗刷、烘干后得到石墨烯。
6、化学气相堆积法
     化学气相堆积法即（CVD）是运用含碳有机气体为材料进行气相堆积制得石墨烯薄膜的方法。这是出产石墨烯薄膜较有效的方法。