硅基陶瓷具有最佳的热膨胀相容性， 在高温时具有最低的氧化速率， 比较硬且耐烧蚀。SiC 具有以上优点并且原料易得， 当 0 2 分压较高时， 其氧化产物固态 SiO 2 在 1650 o C 以下是稳定的， 形成的玻璃态 SiO 2 薄膜能防止 0 2 进一步向内层扩散。 因此， 在碳／ 碳表面渗上一层 SiC 涂层， 能有效地防止碳／ 碳在高温使用时的氧化。 在碳／ 碳表面形成 SiC 涂层的方法有两种： 一种方法是采用固体扩散渗 SiC 工艺， 另一种方法是近年来采用的化学气相沉积法。

  此外， 利用硅基陶瓷涂层(SiC、Si 3 C 4 )对碳／ 碳进行氧化防护， 其使用温度一般在 1700~1800 o C以下， 高于 1800 o C 使用的碳／ 碳复合材料的氧化防护问题还有待研究解决